三星新技术首次采用钼金属储存密度超高

2024-07-0310:41:40作者：姚立伟

据韩媒报道，三星在最新的V-NAND闪存技术中首次采用了钼（Mo）。这项技术的“金属布线”工艺是将不同的方式连接数十亿个电子元器件，从而形成不同类型的半导体产品。据悉，三星公司已经从LamResearch公司引进了五台用于沉积钼设备，并计划在明年再引进20台设备。

除了三星电子外，SK海力士、美光和Kioxia等公司也在考虑使用钼。与现有NAND工艺中所使用的六氟化钨（WF6）不同，钼前驱体必须在600℃的高温下才能升华转化为气态，这个过程需要单独的沉积设备。

三星今年5月报道称，三星新技术首次采用钼金属储存密度超高已经开始量产他们的第九代V-NAND闪存量产，其位密度比第八代提高了约50%。这一代V-NAND闪存配备了下一代NAND闪存接口“Toggle5.1”，可以将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。除了这个新接口之外，三星还计划通过扩大对PCIe5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。