三星新技术首次采用钼金属储存密度超高

三星新技术首次采用钼金属储存密度超高

2024-07-0310:41:40作者：姚立伟据韩媒报道，三星在最新的V-NAND闪存技术中首次采用了钼（Mo）。这项技术的“金属布线”工艺是将不同的方式连接数十亿个电子元器件，从而形成不同类型的半导体产品。据悉，三星公司已经从LamResearch公司引进了五台用于沉积钼设备，并计划在明年再引进20台设备。除了三星电子外，SK海力士、美光和Kioxia等公司也在考虑使用钼。与现有NAND工艺中所使用的六氟化钨（WF6）不同，钼前驱体必须在600℃的高温下才能升华转化为气态，这个过程需要单独的沉积设备。三星今年5...